Samsung: The world's first 3nm chip
Nan dènye konferans IEEE ISSCC Entènasyonal Solid-State Circuits, chips 3nm! Samsung te rale nan, ak Samsung te avèk siksè limen batay la chip atravè mond lan. Nan konferans lan, Samsung te lanse premye chip memwa SRAM ki te fabrike pa pwosesis 3nm, pouse pwosesis semi-conducteur a nan yon nouvo etap ankò. Pwosesis 3nm SRAM memwa chip ki soti nan Samsung gen yon kapasite de 256GB ak yon zòn nan sèlman 56 milimèt kare. Pèfòmans amelyore pa 30 pousan ak konsomasyon pouvwa a redwi pa 50 pousan. Li espere ke yo dwe ofisyèlman mas-pwodwi an 2022. Samsung te adopte yon nouvo teknoloji tranzistò sou chip nan pwosesis 3nm, epi li te itilize teknoloji GAA pou rezoud yon seri de pwoblèm tankou jenerasyon chalè ak konsomasyon pouvwa twòp te rankontre anvan an. 5nm pwosesis. Teknoloji GAAFET se plis kontra enfòmèl ant nan aranjman epi li ka akomode plis tranzistò, kidonk zòn nan chip korespondan yo pral plis redwi, makonnen ak kontwòl pi egzak li yo nan kwa -chanèl aktyèl, li espere reyalize lidèchip teknolojik.
Te fonde an 2003, Baiqiancheng angaje nan ekspòtasyon nan tablo PCBA, konsantre sou sèvis ODM, ko-desine ak kliyan, ede kliyan yo chwazi modèl, ak chanje layout. Avantaj prensipal nou an se ke nou gen yon ekip akizisyon pwofesyonèl, epi nou gen bon kalite-konpozan. Chanèl akizisyon chip la ka ede kliyan jwenn materyèl ak pri segondè ak bon jan kalite segondè, ekonomize depans pou kliyan yo ak diminye tan an livrezon.
